| ↓ Rechercher un autre produit par critères |
Général |
| |
Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
|
Capacité | | 1 To
|
Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
|
Format | | M.2 2280
|
Interface | | PCIe 3.1 (NVMe)
|
Caractéristiques | | Prise en charge TRIM, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.
|
Largeur | | 80 mm
|
Profondeur | | 22 mm
|
Hauteur | | 2.2 mm
|
Poids | | 7 g
|
| |
Performances | |
Débit de transfert interne | | 2100 Mo/s (lecture) / 1900 Mo/s (écriture)
|
Lecture aléatoire 4 Ko | | 179000 IOPS
|
Écriture aléatoire 4 Ko | | 102000 IOPS
|
Temps de latence moyen | | 0.2 ms
|
| |
Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 1,000,000 heures
|
| |
Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 3.1 (NVMe) - M.2 Card
|
Baie compatible | | M.2 2280
|
| |
Alimentation | |
Consommation électrique | | 2.84 Watt (lecture) 3.22 Watt (écriture) 0.47 Watt (inactif)
|
| |
Divers | |
Normes de conformité | | FCC, WEEE
|
| |
Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - remplacement avancé - 3 ans
|
| |
Caractéristiques d’environnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
|
Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
|
Température de stockage mini | | -45 °C
|
Température de stockage maxi | | 105 °C
|
Taux d'humidité en fonctionnement | | 5 - 98%
|
Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 1500 g
|
Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | | 16 g
|