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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 8 To
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Cryptage matériel | | Oui
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Algorithme de chiffrement | | AES 256 bits
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Type de mémoire flash NAND | | Cellule à quatre niveaux (QLC)
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Format | | 2.5"
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Interface | | SATA 6Gb/s
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Taille de la mémoire tampon | | 8 Go
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Caractéristiques | | Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
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Largeur | | 69.85 mm
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Profondeur | | 100 mm
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Hauteur | | 6.8 mm
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Poids | | 57 g
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Performances | |
Endurance SSD | | 2.88 PB
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Débit de transfert interne | | 560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 11000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 35000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko maximum | | 88000 IOPS
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Lecture aléatoire maximale 4 ko | | 98000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 1,500,000 heures
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches
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Baie compatible | | 2.5"
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 3.3 Watt (moyenne)
5.5 Watt (maximum)
0.045 Watt (inactif)
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Consommation électrique | | 3.3 watt (moyenne)
5.5 watt (maximum)
0.045 watt (inactif)
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 3 ans
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Caractéristiques d’environnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 0.5 ms half-sine
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Résistance aux chocs (au repos) | | 1500 g @ 0,5 ms
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