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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 30.72 To
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Cryptage matériel | | Oui
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Type de mémoire flash NAND | | 3 bits par cellule (TLC)
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Format | | E3.S
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Interface | | PCIe 6.2 x4 (NVMe)
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Octets par secteur | | 512
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Caractéristiques | | Technologie NAND Micron G9, Open Compute Project 2.6, Modèle de Protection des Données de Sécurité (SPDM) 1.2, Micron Secure Encrypted Environment (SEE), refroidissement liquide prêt, fonction d'effacement sécurisé, effacement de bloc NAND, Micrologiciel signé sécurisé, effacement cryptographique, S.M.A.R.T.
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Hauteur | | 7.5 mm
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 1
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Endurance SSD | | 14016 TB
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Classe d'entraînement | | Centre de données, Lecture intensive
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Débit de transfert interne | | 28000 Mo/s (lecture) / 14000 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 5500000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 570000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2.000.000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 6.2 x4 (NVMe)
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Baie compatible | | E3.S
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 18 watt (lecture séquentielle) 16 watt (écriture séquentielle)
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques d’environnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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