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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 7.68 To
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Cryptage matériel | | Oui
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Algorithme de chiffrement | | AES 256 bits, FIPS 140-3 Level 2
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | E1.S
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Interface | | PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
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Octets par secteur | | 512
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Caractéristiques | | Open Compute Project 2.0, NVM Express (NVMe) 2.0b, technologie TLC NAND 232 couches, Dynamic Wear Leveling, Protection de perte de puissance (PLP), prise en charge de remplacement à chaud, Insertion surprise possible, Déplacement de surprise possible, S.M.A.R.T.
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Largeur | | 33.75 mm
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Profondeur | | 118.75 mm
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Hauteur | | 15 mm
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 1
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Classe d'entraînement | | Enterprise
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Débit de transfert interne | | 14000 Mo/s (lecture) / 10000 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 3300000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 380000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2.000.000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
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Baie compatible | | E1.S
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 18 watt (lecture séquentielle) 16 watt (écriture séquentielle)
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Divers | |
Normes de conformité | | REACH, RoHS, FCC, UL, cUL, BSMI, RCM, KC, RRL, WEEE, TUV, VCCI, IC, Morocco, UkrSEPRO, UKCA
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques d’environnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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