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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 61.44 To
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Type de mémoire flash NAND | | 3 bits par cellule (TLC)
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Format | | E3.S
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Interface | | PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
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Octets par secteur | | 512
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Caractéristiques | | Racine de confiance matérielle, Modèle de Protection des Données de Sécurité (SPDM) 1.2, Enterprise Data Path Protection, protection de perte de puissance des données, fonction Wear Leveling statique, Dynamic Wear Leveling, Open Compute Project 2.5, non-SED, Technologie NAND Micron G8, NVM Express (NVMe) 2.0, S.M.A.R.T.
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Largeur | | 76 mm
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Profondeur | | 112.5 mm
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Hauteur | | 7.5 mm
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 1
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Endurance SSD | | 28000 TB
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Classe d'entraînement | | Enterprise
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Débit de transfert interne | | 14000 Mo/s (lecture) / 7000 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 2000000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 70000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,500,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
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Baie compatible | | E3.S
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 20 watt (actif) 25 watt (maximum) 5 watt (inactif)
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Divers | |
Normes de conformité | | UL/cUL, BSMI, RCMI, RCM, TUV, IC, Morocco, UkrSEPRO, Micron Green Standard, FCC, UL, cUL, WEEE, UKCA
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques d’environnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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