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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 61.44 To
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Type de mémoire flash NAND | | 3 bits par cellule (TLC)
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Format | | E3.S
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Interface | | E3.S PCIe 5.0 x4 (NVMe)
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Octets par secteur | | 512
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Caractéristiques | | NVM Express (NVMe) 2.0, Micron G9 TLC NAND, Digitally Signed Firmware, Insertion surprise possible, Déplacement de surprise possible, prise en charge de remplacement à chaud, micrologiciel évolutif sur le terrain, fonction Wear Leveling statique, Dynamic Wear Leveling, Enterprise Power-Loss Protection, S.M.A.R.T.
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Largeur | | 7.6 mm
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Profondeur | | 11.275 mm
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Hauteur | | 7.5 mm
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Poids | | 110 g
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 1
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Endurance SSD | | 112000 TB
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Classe d'entraînement | | Enterprise
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Débit de transfert interne | | 14000 Mo/s (lecture) / 2900 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 2000000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 42000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,500,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
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Baie compatible | | E3.S
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 25 watt (actif) 25 watt (maximum) 5 watt (inactif)
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Divers | |
Normes de conformité | | RoHS, UL, cUL, FCC CFR 47 Part 15 Class A, UL 62368-1, BSMI, RCM, KC, VCCI-CISPR 32 Class A, ICES-003 classe A, WEEE
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Caractéristiques d’environnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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