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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 25.6 To
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Cryptage matériel | | Oui
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Algorithme de chiffrement | | AES 256 bits
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | E3.S
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Interface | | PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
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Octets par secteur | | 512
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Caractéristiques | | Open Compute Project 2.0, NVM Express (NVMe) 2.0, Modèle de Protection des Données de Sécurité (SPDM) 1.2, Protection de perte de puissance (PLP), protection des données de bout en bout, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, Technologie NAND Micron G8, prise en charge de remplacement à chaud, Digitally Signed Firmware, Technologie 3D TLC NAND à 232 couches, S.M.A.R.T.
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Largeur | | 76 mm
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Profondeur | | 112.75 mm
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Hauteur | | 7.58 mm
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 3
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Endurance SSD | | 140160 TB
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Classe d'entraînement | | Enterprise, Mixed Use
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Débit de transfert interne | | 14000 Mo/s (lecture) / 10000 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 2800000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 700000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,500,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
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Baie compatible | | E3.S
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 18 watt (lecture séquentielle) 16 watt (écriture séquentielle)
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques d’environnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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