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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 960 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | 2.5"
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Interface | | U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
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Octets par secteur | | 512
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Caractéristiques | | 3D NAND Technology, technologie NAND 176 couches
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Hauteur | | 15 mm
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Performances | |
Classe d'entraînement | | High Endurance
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Débit de transfert interne | | 6800 Mo/s (lecture) / 5300 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 900000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 250000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,500,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Baie compatible | | 2.5"
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 12 watt (lecture séquentielle) 12 watt (écriture séquentielle) 5 watt (inactif)
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Consommation électrique | | 12 Watt (lecture séquentielle) 12 Watt (écriture séquentielle) 5 Watt (inactif)
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques d’environnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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