| ↓ Rechercher un autre produit par critères |
Général |
| |
Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
|
Capacité | | 512 Go
|
Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
|
Format | | M.2 2280
|
Interface | | PCIe 3.0 x4 (NVMe)
|
Taille de la mémoire tampon | | 2 Go
|
Caractéristiques | | NVM Express (NVMe) 1.3, cache externe DDR3L DRAM, cache SLC, Advanced LDPC ECC Technology, prise en charge TRIM, S.M.A.R.T.
|
Largeur | | 22 mm
|
Profondeur | | 80 mm
|
Hauteur | | 2.3 mm
|
Poids | | 8 g
|
| | |
Performances | |
Endurance SSD | | 350 TB
|
Débit de transfert interne | | 3500 Mo/s (lecture) / 2600 Mo/s (écriture)
|
Lecture aléatoire 4 Ko | | 350000 IOPS
|
Écriture aléatoire 4 Ko | | 302000 IOPS
|
| | |
Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
|
| | |
Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
|
Baie compatible | | M.2 2280
|
| | |
Alimentation | |
Consommation électrique | | 5.9 Watt (lecture)
5 Watt (écriture)
9 mW (min. veille)
900 mW (max. veille)
|
| | |
Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
|
| | |
Caractéristiques d’environnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
|
Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
|
Température de stockage mini | | -40 °C
|
Température de stockage maxi | | 85 °C
|
01 43 00 43 08 (lundi au jeudi 8H30 18H30, vendredi 8H30 17H30) Contactez-nous
